Микросхемы CDRAM.

 Как способ повышения производительности динамической памяти применяется помещение статистической кэш-памяти прямо на кристалл памяти. Примером такой архитектуры являются микросхемы CDRAM (Cached DRAM – кэшированная DRAM), выпускаемые фирмами Mitsubishi, Samsung с ёмкостью 4 и 16 Мбит, 16 Кбайтным кэшем статистической памяти,128-битной внутренней шиной данных. Другой пример – EDRAM Формирование основной памяти компьютера путем установки микросхем непосредственно на плату процессора является конструктивно, технологически и экономически накладным. Поэтому микросхемы памяти предварительно организуются в модули, т.е. наборы микросхем, компонуемых на отдельной печатной плате c краевым разъемом методом поверхностного монтажа (SMT – Surface Mounting Technology) и обеспечивающих необходимую разрядность ячеек памяти. Использование модулей, подключаемых к плате процессора через контактную колодку из третьего измерения, позволяет экономить площадь основной платы, повышает скорость и надёжность монтажа памяти, совершенствует систему ее энергоснабжения.