Микросхемы статической памяти Async SRAM, SB SRAM, PB SRAM.

Менее емкой, но обладающей более высоким быстродействием по сравнению с динамической памятью (время доступа может составлять несколько наносекунд) является статическая память (SRAM). Как правило, она имеет структуру 2D или 2DM иногда используется структура 3D. В качестве запоминающих элементов в ней используются триггеры, способные сохранять информацию сколь угодно долго при наличии питания (отсюда и название – статическая) и отличающиеся простотой в управлении. Но, вместе с тем, эти элементы памяти схемотехнически более сложны и занимают больше места на кристалле.

Главное ее применение – кэширование основной памяти компьютера (RAM). Выполняя функции сверхоперативного буфера между процессором и RAM, кэш-память позволяет сократить время ожидания процессора при обращении к относительно медленной памяти на микросхемах DRAM, храня в себе копии блоков RAM, к которым происходили последние обращения. В случае последующего обращения к этим блокам информация берется непосредственно из быстрой кэш-памяти.

Как уже отмечалось, в своей многоуровневой организации кэш-память подразделяется на внутреннюю (расположенную непосредственно на кристалле процессора) и внешнюю, интегрированную на своей подложке и монтируемую либо в одном корпусе с процессором, либо отдельно в своем корпусе на материнской плате.

Если говорить о микросхемах SRAM, то именно они используются для реализации внешнего кэша и в зависимости от архитектурных особенностей могут представлять собой следующие разновидности:

• Async SRAM (Asynchronous SRAM или просто SRAM) – это асинхронная статическая память с временем доступа 12, 15, 20 нс и пакетным циклом чтения 2-1-1-1 на частоте системной шины до 33 МГц.
• SB (Synchronous Burst) SRAM – синхронная статическая память, ориентированная на эффективное выполнение пакетных циклов обмена, характерных для кэш-памяти(информация записывается и считывается блоками) имеет дополнительный сигнал синхронизации. Пакетный цикл 2-1-1-1 на частотах до 66 MHz.
• PB (Pipelined Burst) SRAM – это так называемая конвейерно-пакетная синхронная статическая память с усовершенствованным конвейером, использующая дополнительный внутренний регистр данных и способная уменьшить задержку данных относительно перепада синхронизирующего импульса внутри пакета до 4,5 нс. При этом пакетный цикл 3-1-1-1 обеспечивается на частоте системной шины 133 МГц и выше.

Микросхемы рассмотренных типов статической памяти составляют элементную базу для построения кэш-памяти вычислительных систем самых различных архитектур.